文章摘要:采用偏轴磁控溅射法，以单晶钛酸锶（001）SrTiO₃（STO）为衬底，不同沉积温度下外延生长了La_0.5Sr_0.5CoO₃ （LSCO）氧化物底电极。X射线衍射仪（XRD）和原子力显微镜（AFM）结构表征以及四探针方阻测试结果表明：LSCO薄膜外延（00l）取向最优温度沉积条件为550℃。此外，利用脉冲激光沉积法，以LSCO/STO异质结为模板，构架了Pt/Na_0.5Bi_0.5TiO₃ （NBT）/LSCO/STO铁电电容器。XRD和AFM结构表征表明：NBT薄膜为（00l）外延结构。电流密度-电压测试曲线结果表明，室温变为70℃时，Pt/NBT/LSCO异质结漏电流密度有所增加，但未改变导电机制：低压下为欧姆导电和高压下为陷阱的空间电荷限制电流导电。在5 V驱动电压下，室温和70℃时，Pt/NBT/LSCO电容器具有饱和的电滞回线和保持特性，且经过10¹⁰翻转后，均未产生疲劳。

文章关键词:钛酸铋钠薄膜,异质结,铁电存储,疲劳特性,

论文作者:丁逸 范佳荫 郭靖 赵向阳 顾春鹏 田寅帆 赵建业 董磊 宋建民 

作者单位:河北农业大学理学院 

论文DOI: 10.14062/j.issn.0454-5648.20210021

论文分类号: TB383.2;TM53

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