近日，北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所叶堉团队在二维半导体单晶制备研究中取得重要进展。

二维半导体是指具有原子级别厚度且电子被限制在二维平面内运动的材料。由于只有二维，量子限制效应和弱屏蔽效应为这种材料带来了许多独特属性，在高性能微电子器件领域具有重要作用。

但是，目前的前制备大面积二维半导体薄膜的方法存在缺陷，不能保证半导体薄膜100%的覆盖率，从而限制了基于这类薄膜制备的器件的性能和均一性。

在北京大学此次的新进展中，叶堉团队提出了一种新方法，他们利用相变和重结晶过程制备晶圆尺寸单晶半导体相碲化钼(MoTe2)薄膜。据悉，过渡金属硫属化合物是二维材料中非常重要的一类。

利用制备的新膜材料，在结合该团对之前的技术，该团队制备了晶体管阵列，其良率达到100%，并具有很好的电学性能，且其电学性能表现出很好的均一性。

研究成果以“Seeded 2D epitaxy of large-area single-crystal films of the van der Waals semiconductor 2H MoTe2”为题，发表在顶刊Science。

上一篇：推动集成电路产学研政融通交流 第五届IEEE电子器
下一篇：没有了